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IPN70R600P7SATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPN70R600P7SATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 90µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 6.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 364pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2884 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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