IPN70R2K1CEATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPN70R2K1CEATMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-223-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 70µA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 5W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-SOT223 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7.8nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 750V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 163pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 94 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.22 | $0.22 | $0.21 |
Mínimo: 1