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IPL65R650C6SATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPL65R650C6SATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 8TSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 210µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 56.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores Thin-PAK (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 440pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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