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IPI80P04P4L04AKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI80P04P4L04AKSA1
Descripción: MOSFET P-CH TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +5V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 176nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3800pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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