Image is for reference only , details as Specifications

IPI80N06S2L11AKSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI80N06S2L11AKSA2
Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 93µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.7mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.) 158W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 80nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2075pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.25 $1.23 $1.20
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDBL86366-F085
ON Semiconductor
$0
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
$1.25
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
$1.25
AUIRF4104
Infineon Technologies
$1.25
IRF9620SPBF
Vishay / Siliconix
$1.25