Image is for reference only , details as Specifications

IPI120N06S402AKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI120N06S402AKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 140µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 188W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 195nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 15750pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPD90N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD90N06S407ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD90N06S405ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD90N06S404ATMA1
Infineon Technologies
$0