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IPI084N06L3GXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI084N06L3GXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 34µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 79W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4900pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.86 $0.84 $0.83
Mínimo: 1

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