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IPI041N12N3GAKSA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IPI041N12N3GAKSA1 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 270µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.1mOhm @ 100A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO262-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 211nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 120V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 13800pF @ 60V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 120A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 85 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.12 | $3.06 | $3.00 |
Mínimo: 1
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