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IPI023NE7N3 G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI023NE7N3 G
Descripción: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 273µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 206nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 75V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 14400pF @ 37.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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