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IPG20N10S436AATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IPG20N10S436AATMA1
Descripción: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 43W
Tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 16µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 36mOhm @ 17A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-10
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 990pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.59 $0.58 $0.57
Mínimo: 1

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