IPG20N06S4L26ATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | IPG20N06S4L26ATMA1 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 33W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 10µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8-4 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 20nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1430pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A |
En stock 27955 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1