IPG20N06S2L50ATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | IPG20N06S2L50ATMA1 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 51W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Número de pieza base | *PG20N06 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 19µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8-4 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 17nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 55V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 560pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A |
En stock 92 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.52 | $0.51 | $0.50 |
Mínimo: 1