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IPG20N06S2L50ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IPG20N06S2L50ATMA1
Descripción: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 51W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Número de pieza base *PG20N06
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 19µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 15A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TDSON-8-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.52 $0.51 $0.50
Mínimo: 1

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