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IPDD60R080G7XTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPDD60R080G7XTMA1
Descripción: MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 10-PowerSOP Module
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 490µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 80mOhm @ 9.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 174W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HDSOP-10-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1640pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2146 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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