Image is for reference only , details as Specifications

IPD90P03P4L04ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD90P03P4L04ATMA1
Descripción: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +5V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 253µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.1mOhm @ 90A, 10V
Disipación de energía (máx.) 137W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 160nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 11300pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 12225 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPD90P04P405ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRFR3710ZTRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
$0
FQB30N06LTM
ON Semiconductor
$0