IPD80R1K4CEBTMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.9V @ 240µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 63W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-252-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 23nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 570pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.9A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 60 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1