Image is for reference only , details as Specifications

IPD80R1K2P7ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD80R1K2P7ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 80µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 37W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 300pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2480 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRLR7833TRPBF
Infineon Technologies
$0
NVMFS5826NLT1G
ON Semiconductor
$0
IPD90N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF6665TRPBF
Infineon Technologies
$0