La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPD65R380E6ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD65R380E6ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ E6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 320µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 39nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 710pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.78 $0.76 $0.75
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FCPF600N60ZL1
ON Semiconductor
$0.78
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
$0.78
AUIRFR540ZTRL
Infineon Technologies
$0.78
DMTH41M8SPS-13
Diodes Incorporated
$0.78
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
$0.78