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IPD60N10S4L12ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD60N10S4L12ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 46µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
Disipación de energía (máx.) 94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3-313
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 49nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3170pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 41995 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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