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IPD09N03LA G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD09N03LA G
Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 20µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.6mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 63W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1642pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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