La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPD038N04NGBTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD038N04NGBTMA1
Descripción: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 45µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 90A, 10V
Disipación de energía (máx.) 94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4500pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R280C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
$0