IPB65R110CFDAATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPB65R110CFDAATMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH TO263-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 1.3mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 277.8W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | D²PAK (TO-263AB) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 118nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3240pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 31.2A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 1962 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$6.40 | $6.27 | $6.15 |
Mínimo: 1