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IPB65R110CFDAATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB65R110CFDAATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1.3mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 277.8W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 118nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3240pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1962 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.40 $6.27 $6.15
Mínimo: 1

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