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IPB60R299CPAATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB60R299CPAATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 440µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.41 $1.38 $1.35
Mínimo: 1

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