La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPB60R280P7ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB60R280P7ATMA1
Descripción: MOSFET TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 190µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 53W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 761pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3906 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI7116DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
FDMS2572
ON Semiconductor
$0
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STD17NF03L-1
STMicroelectronics
$0.95