Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R099CPAATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB60R099CPAATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 1.2mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 105mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 255W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 80nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2800pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.00 $3.92 $3.84
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXFH22N65X2
IXYS
$3.96
IXKP24N60C5
IXYS
$3.96
TK20E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.95
FDB0630N1507L
ON Semiconductor
$0
DMPH6050SFG-7
Diodes Incorporated
$3.94