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IPB35N10S3L26ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPB35N10S3L26ATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	2.4V @ 39µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
Disipación de energía (máx.)	71W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	39nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2700pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V