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IPB180N04S4H0ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB180N04S4H0ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 180µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 250W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-7-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 225nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 17940pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1398 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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