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IPB120N04S4L02ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPB120N04S4L02ATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.)	158W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	190nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	14560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V