La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPB100N12S305ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB100N12S305ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 240µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.1mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 185nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 120V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 11570pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 371 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.24 $4.16 $4.07
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC220N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
$0
IRL7472L1TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF7749L1TRPBF
Infineon Technologies
$0
BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0