La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPB06N03LAT

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB06N03LAT
Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 40µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-3-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2653pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB05N03LAT
Infineon Technologies
$0
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSP317PE6327T
Infineon Technologies
$0
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
$0
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
$0