IPB06CN10N G
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPB06CN10N G |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 180µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.2mOhm @ 100A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 214W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | D²PAK (TO-263AB) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 139nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9200pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 64 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1