La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPB039N10N3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB039N10N3GATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 160µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 214W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 117nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8410pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 2000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
$1.35
FDB52N20TM
ON Semiconductor
$1.4
IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
$0
FQP27P06
ON Semiconductor
$1.48
NVMFS5A160PLZWFT1G
ON Semiconductor
$0