IPAW60R360P7SXKSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPAW60R360P7SXKSA1 |
Descripción: | MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 140µA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 22W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO220 Full Pack |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 555pF @ 400V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 267 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.11 | $1.09 | $1.07 |
Mínimo: 1