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IPAW60R360P7SXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPAW60R360P7SXKSA1
Descripción:	MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 140µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Disipación de energía (máx.)	22W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	555pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V