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IPAN60R650CEXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPAN60R650CEXKSA1
Descripción: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 28W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 440pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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