La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPAN60R650CEXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPAN60R650CEXKSA1
Descripción:	MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Super Junction
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	650mOhm @ 2.4A, 10V
Disipación de energía (máx.)	28W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	20.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	440pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V