La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPA65R190CFDXKSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPA65R190CFDXKSA2
Descripción: HIGH POWER_LEGACY
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CFD2
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 34W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 68nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1850pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 77 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.84 $1.80 $1.77
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
$1.84
NTMFS6H800NLT1G
ON Semiconductor
$1.84
IPP50R199CPHKSA1
Infineon Technologies
$1.83
IPA50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
$1.83
IPC218N04N3X1SA1
Infineon Technologies
$1.83