La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPA093N06N3GXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPA093N06N3GXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 34µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.3mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.) 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-31 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 48nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3900pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 43A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 285 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.05 $1.03 $1.01
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
$1.01
ZDX050N50
ROHM Semiconductor
$0.96
TSM4NB60CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.91
IRFU3910PBF
Infineon Technologies
$0.79