IMW120R045M1XKSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IMW120R045M1XKSA1 |
Descripción: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolSiC™ |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | +20V, -10V |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5.7V @ 10mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
Disipación de energía (máx.) | 228W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO247-3-41 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 52nC @ 15V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1.2kV |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1.9nF @ 800V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 52A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
En stock 90 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$23.53 | $23.06 | $22.60 |
Mínimo: 1