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IMW120R045M1XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IMW120R045M1XKSA1
Descripción: COOLSIC MOSFETS 1200V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) +20V, -10V
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5.7V @ 10mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 15V
Disipación de energía (máx.) 228W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-3-41
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 52nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1.2kV
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1.9nF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 52A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 15V

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$23.53 $23.06 $22.60
Mínimo: 1

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