La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
IDC08D120T6MX1SA2
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | IDC08D120T6MX1SA2 |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Capacitancia : Vr, F | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Sawn on foil |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 2.7µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 10A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 2.05V @ 10A |
En stock 73 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.50 | $1.47 | $1.44 |
Mínimo: 1
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