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FZ800R12KS4B2NOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FZ800R12KS4B2NOSA1
Descripción: MODULE IGBT A-IHM130-1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 7600W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 52nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 5mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,007.10 $986.96 $967.22
Mínimo: 1

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