Image is for reference only , details as Specifications

FZ1200R45KL3B5NOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FZ1200R45KL3B5NOSA1
Descripción: MODULE IGBT A-IHV190-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 13500W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 125°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1200A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 280nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 5mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 4500V

En stock 81 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2,372.33 $2,324.88 $2,278.39
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FMG2G75US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G50US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
$0
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
$0
FMG2G200US60
ON Semiconductor
$0