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FZ1200R17HP4B2BOSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FZ1200R17HP4B2BOSA2
Descripción: MODULE IGBT IHMB130-1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 7800W
Configuración Half Bridge
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1200A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 97nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 5mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1700V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$933.27 $914.60 $896.31
Mínimo: 1

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