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FP35R12W2T4BOMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FP35R12W2T4BOMA1
Descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 215W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 54A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 2nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 58 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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