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FF225R17ME4B11BOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FF225R17ME4B11BOSA1
Descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1500W
Configuración 2 Independent
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 340A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 18.5nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 3mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1700V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$144.58 $141.69 $138.85
Mínimo: 1

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