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FD-DF80R12W1H3_B52

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FD-DF80R12W1H3_B52
Descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 215W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 40A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 235nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.99 $35.27 $34.56
Mínimo: 1

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