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DF200R12W1H3FB11BOMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: DF200R12W1H3FB11BOMA1
Descripción: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie EasyPACK™
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 20mW
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 30A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 6.15nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$73.56 $72.09 $70.65
Mínimo: 1

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