La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
DF200R12W1H3B27BOMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Ficha técnica: | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Descripción: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - IGBTs - Modules |
| Entrada | Standard |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 375W |
| Configuración | 2 Independent |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Termistor NTC | Yes |
| Paquete / Caso | Module |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
| Vce(on) (Max) á Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 30A |
| Capacitancia de entrada (Cies) - Vce | 2nF @ 25V |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 1mA |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
En stock 53 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $50.67 | $49.66 | $48.66 |
Mínimo: 1
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