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DF200R12PT4B6BOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: DF200R12PT4B6BOSA1
Descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1100W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 300A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 12.5nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 15µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$181.13 $177.51 $173.96
Mínimo: 1

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