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DF120R12W2H3B27BOMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: DF120R12W2H3B27BOMA1
Descripción: IGBT MODULE 800V 50A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 180W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 2.35nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$54.27 $53.18 $52.12
Mínimo: 1

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