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BUZ31HXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUZ31HXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 200mOhm @ 9A, 5V
Disipación de energía (máx.) 95W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1120pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 14.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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