La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BTS282ZE3230AKSA2

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BTS282ZE3230AKSA2
Descripción:	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TEMPFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Temperature Sensing Diode
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-7
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 240µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6.5mOhm @ 36A, 10V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO220-7-12
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	232nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	49V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4800pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V