La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BTS247ZE3062AATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BTS247ZE3062AATMA2
Descripción: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TEMPFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Temperature Sensing Diode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 90µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18mOhm @ 12A, 10V
Disipación de energía (máx.) 120W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-5-2
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1730pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.85 $1.81 $1.78
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

AUIRFSL8407
Infineon Technologies
$1.85
FDB3652-F085
ON Semiconductor
$0
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
$1.89
IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
$1.89
SIHB11N80E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.92